开环霍尔效应传感器会使用一个磁性传感器来产生一个与被感测电流成比例的电压，然后该电压被放大成与导体中电流成比的模拟信号输出。就其结构而言，导体通过铁磁体的中心位置以集中磁场，磁传感器则被放置在铁磁体的间隙中。在开环架构中，霍尔效应电流传感器IC对于温度的任何非线性和灵敏度漂移都可能产生误差。

　　闭环传感器使用由电流传感器IC主动驱动的线圈来产生一个与导体中电流相反的磁场。霍尔传感器总是在一个零磁场的工作点运行。输出信号由电阻器产生，该电阻器的电压与线圈中的电流成正比。

　　环电流传感器不仅需要铁磁芯，还需要一个线圈和额外的高功率放大器来驱动线圈。虽然闭环电流传感器比开环架构更复杂，但由于系统仅在零磁场这一个工作点运行，因此消除了与霍尔传感器IC相关的灵敏度误差。

　　与开环解决方案相比，闭环传感器尺寸更大，需要占用的PCB空间也更多。由于闭环传感器在驱动补偿线圈时需要一定的电流，因而功耗较高。此外，闭环传感器需要额外的线圈和驱动电路，价格也比开环传感器更昂贵。